沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導體和超越摩爾領域制造工藝的 4 大關鍵技術。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設中，約 80% 的投資用于購買設備，薄膜沉積設備更是占據(jù)其中約 25% 的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積 (ALD)、物理式真空鍍膜 (PVD) 和化學式真空鍍膜 (CVD) 等。其中 ALD 屬于 CVD 的一種，是當下最先進的薄膜沉積技術。調研機構 GIR 相關報告表明，全球 ALD 設備的市場規(guī)模在 2021-2026 年的年復合增長率預計達到 25.1%，將從 2019 年的 10.661 億美元增至 2026 年的 26.129 億美元。

隨著新材料、新制程、新工藝在新興半導體制造行業(yè)的應用與發(fā)展，ALD 技術可以使得材料以單原子膜（0.1nm）形式沉積在基板表面的特性，在沉積層的厚度控制、3D 異形材料表面均勻度、表面無針孔、折射率等方面具有顯著優(yōu)勢，因此特別適用于 MEMS、CMOS 圖像傳感器等產(chǎn)品的制造與生產(chǎn)，并逐漸成為超越摩爾領域的鍍膜沉積技術首選。

青島四方思銳智能技術有限公司（SRII）全資子公司——BENEQ 全新推出的 TransformTM 系列設備是專為超越摩爾應用市場提供的具有競爭力的 ALD 解決方案。TransformTM 平臺采用了全新的集群設計和尖端的鍍膜沉積技術，可以為 8" 及以下晶圓的表面沉積多種材料，包括 Al2O3、SiO2、AlN、TiN 等氧化物與氮化物，并實現(xiàn)完全保形和高均勻性的薄膜沉積。BENEQ 半導體業(yè)務技術總監(jiān) Alexander Perros 介紹 ：BENEQ 通用型 ALD 技術的超越摩爾應用矩陣十分豐富，包括功率器件、濾波器、MEMS 和 CIS 等。同時，BENEQ 針對不同的細分市場也推出了不同的 ALD 解決方案，主要包括高 K 介電質、表面鈍化、ALD 成核層、化學阻擋層、防潮層及抗反射膜等。例如，表面鈍化，可以用不同 ALD 材料來實現(xiàn)表面鈍化，防潮層則在封裝上發(fā)揮關鍵作用；這些均在廣泛的應用中具備很強的通用性。

代表BENEQ先進通用型ALD技術的TransformTM 系列設備

一個平臺，多種配置

BENEQ Transform ?憑借多功能性和靈活性，制造了全新的 ALD 集群工具設備?？蛇m用于廣泛的應用場景并滿足不同的市場細分。Beneq Transform ?配置多個 ALD工藝模塊，以滿足特定的晶圓產(chǎn)能要求，也可為應對不斷增長的產(chǎn)量或新的 ALD 應用而進行升級。

BENEQ 半導體業(yè)務負責人 Patrick Rabinzohn 表示 ：“TransformTM 平臺兼容單片、批量、熱法以及等離子體等功能，是目前業(yè)界僅有、集多項功能于一體的通用型先進平臺。不僅如此，TransformTM 平臺更具備靈活配置的優(yōu)勢，客戶可以根據(jù)自身需求，選擇‘3 組 ALD 模塊 + 預加熱模塊’構建 TransformTM 的標準配置、或‘2 組 ALD 模塊+ 預加熱模塊’構建 TransformTM Lite 的簡化配置，實現(xiàn)差異化、更具效益的生產(chǎn)和管理方式，并在主流廠商中開拓了意向訂單。”

以鍍膜沉積 50 納米的氧化鋁為例，若采用標準配置的 TransformTM 系統(tǒng)，最多的產(chǎn)量可以達到每小時 40 片晶圓以上，即使 Lite 設備也能達到每小時 25 片以上，這于整個行業(yè)對 ALD 的傳統(tǒng)認知可謂顛覆性的技術突破！Beneq TransformTM 專為晶圓廠而設計，適用于廣泛的高性能氧化物和氮化物，在工藝制備中可滿足最苛刻的薄膜沉積要求，并提供無與倫比的靈活性。工業(yè)標準的水平晶圓裝載可實現(xiàn)即插即用的無縫集成。配備獨特的預熱模塊，可減少數(shù)小時的等待時間，并將產(chǎn)能提升到一個全新的水平。

BENEQ TransformTM 平臺已經(jīng)通過 SEMI S2/S8 認證，支持 SECS/GEM 標準，并逐漸向 12" 晶圓的成熟沉積技術邁進。除了縱向的技術、性能、產(chǎn)能突破，憑借BENEQ 先進的通用型 ALD 技術，思銳智能正在拓展更多前沿垂直行業(yè)的應用創(chuàng)新，將為客戶提供靈活、可靠、高產(chǎn)能的半導體晶圓鍍膜量產(chǎn)解決方案。